TMDCs有各种各样的物理性质，月源省源省易完3亿例如：月源省源省易完3亿他们可以作为绝缘体材料7（eg,HfS2),半导体（e.g.MoS2和WS2）8,9,金属（e.g.TiS2，VS2和NbSe2）10,11.此外，半导体材料的带隙取决于TMDCs材料的层数.比如，二硫化钼的带隙可以从1.2ev（体材料）提升到1.8~1.9ev (单层)12.大多数的TMD材料拥有三种相特征：三角形（1T）也叫做金属相，六角形（2H）以及3R13.这三种相位不是固定不变的，在某种特定的条件中，他们之间是可以相互转化的.比如,二硫化钼一般是以半导体相（2H）形式存在，但是当发生离子迁移时，它又可以转化成亚稳态金属相（1T）.近年来，基于TMDC的纳米材料在电化学能量储存及转化，集成电路中有着广泛的应用.主要是TMDC有以下的优势.1）因为电化学反应总是发生在表面或者界面处，而TMDC材料有着较大的比表面积和原子曝光率，例如，TMDC的大的表面积为静电场吸附离子提供了丰富的位点，为高双电层电容的形成提供了条件.在HER反应过程中，未饱和硫原子在MoS2中充当催化点14.2）TMDC材料超薄的结构能够将载流子限制在界面的1nm空间内，这样能够有效地抑制晶体管的短沟道效应，从而降低器材的损耗.2016年，加州大学伯克利分校的AliJavey等在《Science》发表论文15，实现了栅长为1nm的MoS2场效应晶体管（FET），开关比达到了106.本文主要针对几个问题进行总结讨论.第一部分，介绍一些TMDC材料的典型制备方法.第二部分以讨论TMDC中的应用前景为主，重点关注材料的功能及其与性能.第三部对TMDC材料目前存在的挑战与机遇进行总结与展望.2.制备方法迄今为止，对TMDC材料的制备已经有许多有见地的评论总结.一般而言，这样制备方法可以简单地总结为化学气相沉积法（CVD)、水热法(Hydro(solvo)Sythesis)、静电纺丝（Electrospinning）、剥离法、溶胶-凝胶法（Sol-GelMethod）等.在这一部分，我们将介绍这些合成的方法的过程以及优势.2.1化学气相沉积法（CVD）化学气相沉积(CVD)是目前应用最为广泛以及最成熟的用来沉积多种TMDC材料的技术.它的原理比较简单：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上.对参数的精确控制，人们能够通过CVD来生长单层，单异质结，多异质结的TMDC材料.为什么我们热衷于长单层的TMDC材料？这主要是因为单层的二维过渡金属硫化物是直接带隙材料，这对光源的调控以及器件的性能有着很大的影响.张广宇课题组16以  MoO3和S作为前驱体，通入Ar以及O2为保护气体.通过CVD法成功在单晶衬底蓝宝石上长出单层的MoS2.他们长出的单层MoS2能够非常干净以及无损害地转移到其他介质上，同时，蓝宝石衬底能够重复利用，这对材料的回收利用，减少能耗提供了帮助.图1、CVD生长TMDC材料示意图.（a）蓝宝石基底上生长单层MoS2.（b）一步法合成异质结.（c）两步法合成WSe2/SnS2异质结.随着研究的不断深入，人们已经不满足于用CVD法生长两种材料的异质结.最近，HumberR.Gutierrez课题组17在《Nature》上了一种原位控制合成多结二维侧边异质结构的一步CVD法(图1(b)).在这种CVD工艺中，只需要切换不同组成的载气，就能够实现单层多结侧边异质结的原子结构精确控制.载气中加入水汽，水分子的存在，有利于选择性控制金属前驱体上水诱导的氧化和蒸发，以及基底上成核，从而实现连续的外延生长.然而,单一的二维材料在应用时往往存在一定的局限,例如,绝缘层与石墨烯或TMDCs之间的电荷陷阱会严重影响优异电学性质的展现,h-BN带隙过宽(约5.97eV)难以单独应用于器件中,裸露的BP在空气中易被氧化导致其性能衰减.为了深入研究材料本征性质并扩展其应用领域,研究者将目光放在了二维材料异质结上.，形成P-N异质结结构，这样的材料能够把两种材料的优势集中在一起，可实现带隙的精确可调.湖南大学潘安练课题组18使用常压CVD（APCVD）生长了垂直异质结，采用WSe2粉末和SnO2作为W源和Sn源.首先将WSe2粉末在SiO2/Si衬底上长成单层的WSe2，接着再以此为基底，在SnS2沉积在上面，便形成了异质结结构.此方法可实现大面积生长，为高性能集成光电器件领域的拓展提供了帮助.Li课题组利用常见的原料MoO3和WO3,通过CVD外延生长方法成功制备了WSe2-MoS2面内异质结，并对该方法生长出的异质结进行应力研究，发现随着MoS2的外延生长，其应力作用是不断增强的，远离内层WSe2的区域逐渐摆脱应力的束缚，基于应力研究的器件有望在光电领域获得广泛的研究.2.2水热法(HydrothermalSynthesis)水热法是一种生长TMDC材料的一种低成本的水溶液方法，在水热过程中，一般采用模板来来生长.常见的模板有金属微观立方体碳酸盐19，金属氧化物20，二氧化硅微球21等.Lou课题组将MnCO3作为模板（图2（a）），合成了MoS2立方体结构.在合成过程中，首先将MnCO3转移到MnS上，同时Mo元素与S2-离子相互作用就形成了MnS@MoS2核壳结构，选择性移除MnS壳结构之后，便有了  MoS2立方体结构，尺寸大概在3微米（图2（b-d））.除此之外，他们用类似方法通过Ni-Co类普鲁士蓝与硫代硫酸铵之间的反应合成Ni-CoMoS2的金属框架22，由于结构和成分的优势，合成的材料展示了良好的HER催化性能.不仅能够用水热法生长三维的TMDC材料，还可以用来生长二维的TMDC.Gao课题组23`在泡沫镍上一步合成了MoS2-Ni3S2纳米棒材料，将钼酸铵四水化合物、硫代乙酰胺、尿素以及乙醇去离子水和泡沫镍放置在反应釜中，在240摄氏度环境下反应24小时便合成了目标材料，通过水热法合成的这种材料展现了良好的双功能性能. 图2(a)分层微盒MoS2纳米片模板辅助形成过程示意图;(b)SEM图

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